RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
73
Por volta de -152% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
10.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2984
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link