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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
73
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
29
读取速度,GB/s
3,510.5
14.2
写入速度,GB/s
1,423.3
10.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2984
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
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