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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 -11% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
28
读取速度,GB/s
17.4
14.2
写入速度,GB/s
10.9
10.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2527
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
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