Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

总分
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

总分
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    35 left arrow 36
    左右 3% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    15.5 left arrow 13.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    11.9 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 12800
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    35 left arrow 36
  • 读取速度,GB/s
    13.7 left arrow 15.5
  • 写入速度,GB/s
    9.6 left arrow 11.9
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2312 left arrow 2734
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最新比较