RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
INTENSO 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs INTENSO 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
INTENSO 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
INTENSO 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
73
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
INTENSO 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
12.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
9.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2061
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
INTENSO 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
INTENSO 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kllisre 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Inmos + 256MB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link