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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
73
Por volta de -97% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
10.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2592
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
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