Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Puntuación global
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Puntuación global
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 14.7
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    37 left arrow 73
    En -97% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.6 left arrow 1,423.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 5300
    En 3.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    73 left arrow 37
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,510.5 left arrow 14.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,423.3 left arrow 10.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    476 left arrow 2592
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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