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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
73
94
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5.6
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
4.9
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
94
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
5.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
4.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
1334
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
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