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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
73
Por volta de -121% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
10.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3035
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
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