RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
73
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3035
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link