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Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Comparar
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB vs Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Pontuação geral
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
62
Por volta de -107% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.1
1,810.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,311.6
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,810.1
16.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
804
3637
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB Comparações de RAM
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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