RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
66
Por volta de -94% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
1,906.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,323.0
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,906.1
11.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
703
2917
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link