RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Comparar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
50
Por volta de -72% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
10.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
29
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
14.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2512
3485
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link