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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
50
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
29
读取速度,GB/s
15.3
18.1
写入速度,GB/s
10.9
14.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3485
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
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V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
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Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
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