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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
59
左右 -168% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
22
读取速度,GB/s
4,833.8
17.9
写入速度,GB/s
2,123.3
16.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3926
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
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