RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Comparar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
50
Por volta de -28% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
39
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
9.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2512
2221
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link