RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Comparar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
13.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
50
Por volta de -43% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
35
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
10.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2512
2155
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link