RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Comparez
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
50
Autour de -43% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
35
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2512
2155
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link