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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Comparar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
50
60
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
60
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
9.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
7.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2512
2136
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
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