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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
60
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
60
读取速度,GB/s
15.3
9.2
写入速度,GB/s
10.9
7.1
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
2136
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
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