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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Kingston 9905624-016.A00G 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
44
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
24
读取速度,GB/s
14,740.4
15.4
写入速度,GB/s
8,883.4
11.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
2666
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
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