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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.9
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
12.3
13.0
写入速度,GB/s
8.9
6.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2317
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
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