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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Comparar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
10.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
35
Por volta de -9% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.7
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
10.3
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2767
2895
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
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