Comparação RAM Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Pontuação geral

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

26 35

Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

17.7 15.7

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

14.0 11.8

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2767 3017

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns