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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Comparar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Pontuação geral
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
68
Por volta de 49% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
15.7
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
68
Velocidade de leitura, GB/s
15.7
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
8.9
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2767
2007
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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