RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сравнить
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB против Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Средняя оценка
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
68
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
15.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
68
Скорость чтения, Гб/сек
15.7
16.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2767
2007
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Corsair CMT32GX5M2X6200C36 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link