RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
46
Por volta de -84% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.4
9.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2660
2340
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link