RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Comparar
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
38
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
14.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
38
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
10.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
3030
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link