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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 37% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
38
读取速度,GB/s
14.9
17.9
写入速度,GB/s
10.6
10.4
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3030
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
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