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Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparar
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
38
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
10.4
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
35
Velocidade de leitura, GB/s
14.0
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.4
11.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2055
2336
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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