Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

总分
star star star star star
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

总分
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    35 left arrow 38
    左右 -9% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    14.8 left arrow 14
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    11.2 left arrow 10.4
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    38 left arrow 35
  • 读取速度,GB/s
    14.0 left arrow 14.8
  • 写入速度,GB/s
    10.4 left arrow 11.2
  • 内存带宽,mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2055 left arrow 2336
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较