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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
40
Por volta de 5% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
40
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
14.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3015
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
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