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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
40
En 5% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
40
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3015
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
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