RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
38
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
29
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
14.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3442
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Jinyu 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link