RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3442
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link