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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
38
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
34
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
14.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3401
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
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