RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3520
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link