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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.8
17.5
写入速度,GB/s
8.4
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3520
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
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