RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
38
Por volta de -73% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
22
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3024
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link