RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
38
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3024
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link