RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
67
Por volta de 43% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
15.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
67
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
1876
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link