RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
67
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
15.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
67
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
1876
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link