RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
38
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.6
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.4
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
24
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
21.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
19.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
4250
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link