RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
4250
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Mushkin 994083 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link