RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
38
Por volta de -41% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
27
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2436
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link