RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
6.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
38
Por volta de -19% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
11.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
6.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2238
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5402-027.A01LF 2GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link