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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
13.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
38
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
34
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
12.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2608
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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