RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
13.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
38
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
13.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2608
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link