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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
55
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
9.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
55
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
9.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2185
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
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