RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
55
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
55
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2185
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link